В международном конкурсе «Лучший инновационный проект и лучшая научно-техническая разработка года», прошедшем в рамках конгресса HI-TECH в Санкт-Петербурге, се¬ребряную медаль завоевал совместный проект ОАО «ИНТЕГРАЛ»- управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» и Гомельского государственного университета имени Ф. Скорины.
Выставка-конгресс HI-TECH - ежегодный международный форум, являющийся площадкой для делового общения и демонстрации достижений в области разработок и технологий. Одна из его целей - продвижение инноваций и инвестиционных проектов в научно-технической сфере, развитие эффективного взаимодействия научных организаций и потенциальных инвесторов. На технической ярмарке в этом году встретились порядка 6 500 специалистов из более 200 компаний, Традиционно основными экспонентами с шли государственные научные центры, научно-исследовательские институты, вузы, промышленные предприятия. По решению судей конкурса был определен победитель, получивший Гран-при, присуждено 23 золотые медали, 33 серебряные и 5 специальных призов по номинациям.
Специалисты «Интеграла» и Проблемной научно-исследовательской лаборатории ГГУ имеют большой опыт сотрудничества, включая научные публикации и патенты. В нашем холдинге действует филиал кафедры ГГУ. Очередным удачным совместным этапом стала разработка проекта «Конденсаторные золь-гель слои ни основе танталата-ниобата висмута-стронция дли применения в энерго-независимых радиационно-стойких запоминающих устройствах».
О его сути и актуальности рассказала заведующая филиалом кафедры радиофизики и электроники ГГУ, заместитель главного инженера «Интеграла» по серийному производству Наталья Ковальчук:
«Сегодня особенно актуален поиск новых конкурентоспособных высокотехнологичных разработок, не требующих сверхмалых проектных норм, которые могут быть максимально быстро освоены и станут расширением уже используемой КМОП- технологии для производства СБИС. С этой точки зрения достаточно перспективным является освоение альтернативной технологии FRAM - сегнетоэлектрической оперативной памяти. FRAM предлагает такую же функциональность, что и флэш-память, но имеет более низкое энергопотребление, высокую скорость записи и максимальное число циклов перезаписи.
Нвовизна представленного проекта в том, что для получения сегнетоэлектриков предлагается использовать золь-гель метод синтеза кристаллических наноструктур с прогнозируемыми свойствами. Мы совместно с коллегами из Гомельского государственного университета предложили и эксперименталь¬но обосновали методику раздельного гидролиза при получении наноструктурированных сегнетоэлектрических пленок SBTN золь-гель методом. Для него характерна технологичность, управляемость структурой и фазовым составом, возможность вводить модифицирующие добавки на стадии золя. Как результат - высокая степень гомогенности на молекулярном уровне.
Золь-гель метод открывает возможность создания целого ряда новых материалов и раз-работки на их основе устройств, стойких к радиации и другим проникающим излучениям. Такие устройства могут быть широко востребованы для работы в жестких условиях высокой радиоактивности либо загрязненной окружающей среды, в космической и оборонной промышленности. "
Высокая оценка экспертов свидетельствует о правильности выбора направления исследований. Считаю, что участие в подобных форумах стимулирует научный интерес среди студентов и является полезным опытом сотрудничества с вузами».
Анастасия Азаркевич
